FQAF16N50, Транзистор полевой N-канальный 500В 11.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 11.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 320 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 75нКл |
| Входная емкость: | 3000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3PF |
| Наименование: | FQAF16N50 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 360 шт. |
Описание
Компонент FQAF16N50, Транзистор полевой N-канальный 500В 11.3A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.