Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный BSH105,215 от известного производителя электронных компонентов NEXPERIA. Этот транзистор отличается надежностью, высокими рабочими характеристиками и широким спектром применения в различных электронных схемах и устройствах.

Основные технические характеристики транзистора BSH105,215:

• Напряжение исток-сток макс.: 20В
• Ток стока макс.: 1.05A
• Сопротивление открытого канала: 200 мОм
• Мощность макс.: 417мВт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 570mВ
• Заряд затвора: 3.9нКл
• Входная емкость: 152пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-23
• Вес брутто: 0.02 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор BSH105,215 находит широкое применение в различных электронных схемах и устройствах, таких как источники питания, усилители, коммутирующие схемы, системы управления двигателями и другие. Благодаря своим характеристикам, он идеально подходит для использования в портативной электронике, бытовой технике, промышленном оборудовании и других областях, где требуется надежный и эффективный полупроводниковый компонент.