Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный BSH114,215 от известного производителя NEXPERIA. Данная модель отличается высокой надежностью, стабильностью параметров и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор BSH114,215 обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 500мА
• Сопротивление открытого канала: 500 мОм
• Мощность макс.: 360мВт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 4.6нКл
• Входная емкость: 138пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
• Вес брутто: 0.02 г.

Транзистор BSH114,215 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как источники питания, усилители, переключатели, драйверы и другие схемы, где требуется использование надежных и высокопроизводительных полевых транзисторов. Его характеристики делают его оптимальным выбором для проектирования энергоэффективных и компактных электронных систем.