Представляем вашему вниманию транзистор MOSFET P-канальный BSS192,115 производства компании NEXPERIA. Данная модель является одиночным полевым транзистором с логическим уровнем управления, предназначенным для широкого спектра электронных устройств.

Транзистор BSS192,115 отличается высоким напряжением сток-исток до 240 В, максимальным током стока 200 мА и малым сопротивлением открытого канала всего 12 Ом. Благодаря этим техническим характеристикам, он может применяться в схемах с повышенными требованиями к напряжению и мощности, а также в устройствах с ограниченным энергопотреблением.

• Напряжение исток-сток макс.: 240В
• Ток стока макс.: 200мА
• Сопротивление открытого канала: 12 Ом
• Мощность макс.: 1Вт
• Тип транзистора: P-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
• Входная емкость: 90пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-89-3

Транзистор BSS192,115 может применяться в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, устройства управления двигателями, коммутаторы, ключи, усилители мощности и многое другое. Его широкий диапазон рабочих напряжений, высокая эффективность и малые габариты делают его отличным выбором для современных компактных электронных систем.