IRFD9010PBF, Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 50В |
| Ток стока макс.: | 1.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 500 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 240пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | DIP-4 |
| Наименование: | IRFD9010PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт. |
Описание
IRFD9010PBF, Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.