FDC637AN, Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 6.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 24 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 16нКл |
| Входная емкость: | 1125пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC637AN |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDC637AN, Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.