FDC606P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 26 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 1699пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC606P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент FDC606P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.