IPT60R125G7XTMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 120Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 20А |
| Мощность макс.: | 120Вт |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPT60R125G7XTMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET, N-CH, 600V, 20A, 120W, HSOF |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
IPT60R125G7XTMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 120Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20А Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPT60R125G7XTMA1
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.