CSD19531KCS, Транзистор полевой N-канальный 100В 100A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 7.7 мОм |
| Мощность макс.: | 179Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.3В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 3870пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | CSD19531KCS |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент CSD19531KCS, Транзистор полевой N-канальный 100В 100A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 7.7 мОм Мощность макс.: 179Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Texas Instruments. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.