Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канала IPB107N20N3GATMA1 от компании Infineon Technologies. Данная модель отличается высокой производительностью и надежностью, что делает ее отличным выбором для широкого спектра электронных приложений.

Транзистор IPB107N20N3GATMA1 обладает максимальным напряжением сток-исток 200 В и максимальным током стока 88 А, что позволяет ему справляться с высокими нагрузками. Корпус типа PG-TO263-3 обеспечивает удобство монтажа на печатную плату, а технология поверхностного монтажа упрощает процесс сборки.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 88A
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: PG-TO263-3
• Вес брутто: 1.63 г
• Описание Eng: MOSFET N-CHANNEL 200V 88A TO263
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Транзистор IPB107N20N3GATMA1 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие устройства, требующие надежных и высокопроизводительных компонентов. Его характеристики делают его идеальным выбором для проектов, требующих высокой мощности и эффективности.