Представляем вашему вниманию полевой транзистор N-канала IPD135N03LGATMA1 от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает широким спектром характеристик, делающих его идеальным решением для многих электронных схем и устройств.

Транзистор IPD135N03LGATMA1 отличается низким сопротивлением открытого канала всего 13.5 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Его максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а ток стока достигает 30 А, что делает его пригодным для использования в силовых цепях с высокими токовыми нагрузками.

• Напряжение исток-сток макс.: 30В
• Ток стока макс.: 30A
• Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм
• Мощность макс.: 31Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
• Заряд затвора: 10нКл
• Входная емкость: 1000пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.66 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор IPD135N03LGATMA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, моторные приводы, коммутационные схемы и другие устройства, где требуется надежный и эффективный полевой транзистор с высокими характеристиками. Благодаря своим техническим параметрам и конструктивному исполнению, этот компонент является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных электронных систем.