Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IPW60R190P6FKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением 650В и током стока до 0.2А идеально подходит для широкого спектра применений в электронной промышленности.

Транзистор IPW60R190P6FKSA1 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его незаменимым компонентом для разработки различных устройств силовой электроники, таких как инверторы, преобразователи, источники питания и многое другое.

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 0.2A
• Мощность макс.: 151Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Through Hole
• Вес брутто: 8.2 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 30 шт
• Корпус: PG-TO247-3-46

Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор IPW60R190P6FKSA1 находит широкое применение в таких областях, как силовая электроника, промышленная автоматизация, возобновляемые источники энергии, электродвигатели и многих других. Надежность, эффективность и высокое качество делают этот компонент незаменимым в современной электронной промышленности.