FQPF12P10, Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 8.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 290 мОм |
| Мощность макс.: | 75Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF12P10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, P-channel, 100 V, 8 A, 75 W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент FQPF12P10, Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.