DMN2230U-7, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2A |
| Сопротивление открытого канала: | 110 мОм |
| Мощность макс.: | 600мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Входная емкость: | 188пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | DMN2230U-7 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
DMN2230U-7, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Diodes Incorporated. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.