FDN360P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2A |
| Сопротивление открытого канала: | 80 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 9нКл |
| Входная емкость: | 298пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | FDN360P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDN360P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Заряд затвора: 9нКл
- Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3)
- Мощность макс.: 460мВт
- Наименование: FDN360P
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SuperSOT T/R
- Особенности: Logic Level Gate