SI7135DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 60A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.9 мОм |
| Мощность макс.: | 104Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 250нКл |
| Входная емкость: | 8650пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7135DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт |
Описание
Компонент SI7135DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.