2SK4125-1E, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 610 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 1200пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Наименование: | 2SK4125-1E |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 17A |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт. |
Описание
Техническое описание: 2SK4125-1E, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 17A
- Входная емкость: 1200пФ
- Заряд затвора: 46нКл
- Корпус: TO-3P
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: 2SK4125-1E
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Нормоупаковка: 30 шт.