FDB2572, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 29 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 54 мОм |
| Мощность макс.: | 135Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 34нКл |
| Входная емкость: | 1770пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB2572 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB2572, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 29 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.