Представляем вашему вниманию полевой N-канальный MOSFET транзистор STB13N60M2 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает отличными характеристиками и широким спектром применения в электронных устройствах. Надежность, эффективность и долговечность - вот основные преимущества данной модели.

Транзистор STB13N60M2 отличается повышенным напряжением сток-исток до 600В, максимальным током стока до 11А и малым сопротивлением открытого канала всего 380 мОм. Благодаря этим параметрам он идеально подходит для использования в мощных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах, коммутационных схемах и других устройствах, где требуется управление большими токами и напряжениями.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 380 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 17нКл
• Входная емкость: 580пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 2 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт
• Корпус: D2Pak (TO-263) type A

Транзистор STB13N60M2 идеально подходит для использования в устройствах силовой электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы скорости электродвигателей, сварочное оборудование и другие приложения, требующие управления высокими напряжениями и токами. Благодаря своим характеристикам, этот компонент обеспечивает надежную и эффективную работу в широком диапазоне условий эксплуатации.