Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный транзистор MOSFET STF10NM60N от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает широким диапазоном напряжений и токов, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений в электронной промышленности.

Ключевые характеристики транзистора STF10NM60N:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 10A
• Сопротивление открытого канала: 550 мОм
• Мощность макс.: 25Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 19нКл
• Входная емкость: 540пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220F
• Вес брутто: 2.44 г.

Транзистор STF10NM60N от ST Microelectronics находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, а также другие высокомощные схемы. Благодаря своим характеристикам, он идеально подходит для использования в промышленном оборудовании, бытовой технике, автомобильной электронике и многих других приложениях, требующих надежной и эффективной работы силовых компонентов.