Полевой транзистор MOSFET N-канального типа STF18N60M2 от компании ST Microelectronics – это высокоэффективный компонент, предназначенный для широкого спектра применений в электронных устройствах. Данная модель отличается высоким напряжением пробоя, низким сопротивлением открытого канала и большим током стока, что делает ее идеальным выбором для использования в схемах коммутации высоковольтных и высокоэнергетических цепей.

Ключевые характеристики транзистора STF18N60M2:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 13A
• Сопротивление открытого канала: 280 мОм
• Мощность макс.: 25Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 21.5нКл
• Входная емкость: 791пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220FP
• Вес брутто: 2.44 г.

Транзистор STF18N60M2 идеально подходит для использования в высоковольтных преобразователях, инверторах, источниках питания, плавных пусковых устройствах, импульсных источниках питания и других приложениях, требующих коммутации высоких напряжений и токов. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает высокую эффективность, надежность и долговечность работы конечных устройств.