STF9NK90Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 40Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.3 Ом |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 72нКл |
| Входная емкость: | 2115пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220FP |
| Вес брутто: | 2.49 г. |
| Наименование: | STF9NK90Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 900V, 8A, 40W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный транзистор MOSFET STF9NK90Z от ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент разработан для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется надежная и эффективная коммутация высоких напряжений и токов.
Транзистор STF9NK90Z отличается впечатляющими техническими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 900В, максимальный ток стока 8А и максимальная рассеиваемая мощность 40Вт. Это делает его идеальным выбором для применения в высоковольтных схемах, импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях и других устройствах, работающих с большими нагрузками.
- Напряжение исток-сток макс.: 900В
- Ток стока макс.: 8A
- Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
- Мощность макс.: 40Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 72нКл
- Входная емкость: 2115пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220FP
- Вес брутто: 2.49 г
- Описание Eng: N-MOS+D 900V, 8A, 40W
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор STF9NK90Z находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленную автоматизацию, бытовую технику, источники питания, инверторы и преобразователи. Его высокие рабочие характеристики, надежность и стабильность делают его незаменимым компонентом в современных высокопроизводительных электронных устройствах.