Представляем вам полевой транзистор STP13NM60N от компании ST Microelectronics - надежный и высокопроизводительный компонент для широкого спектра электронных устройств. Этот N-канальный MOSFET транзистор отличается высоким напряжением и током, а также низким сопротивлением открытого канала, что делает его отличным выбором для применений, требующих мощности и эффективности.

Основные характеристики транзистора STP13NM60N:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 360 мОм
• Мощность макс.: 90Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 30нКл
• Входная емкость: 790пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220-3
• Вес брутто: 2.76 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP13NM60N от ST Microelectronics идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы мощности, контроллеры двигателей и многие другие приложения, требующие высокой производительности и надежности. Его высокие характеристики и эффективность делают его незаменимым компонентом для современной электроники.