STP7N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 950 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 8.8нКл |
| Входная емкость: | 271пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.62 г. |
| Наименование: | STP7N60M2 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала STP7N60M2 от ведущего производителя ST Microelectronics. Данная модель обладает широким спектром технических характеристик, которые делают её незаменимым компонентом в различных электронных устройствах и системах.
Транзистор STP7N60M2 отличается надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в ответственных применениях. Благодаря своим характеристикам он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения, а также в других схемах силовой электроники.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 5A
- Сопротивление открытого канала: 950 мОм
- Мощность макс.: 60Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 8.8нКл
- Входная емкость: 271пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 2.62 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 600V TO-220
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор STP7N60M2 является универсальным решением для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, преобразователи постоянного тока, сварочные аппараты, электроприводы и многое другое. Благодаря своим характеристикам он обеспечивает высокую эффективность, надежность и долговечность работы устройств.