STP9N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 5.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 780 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 320пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.74 г. |
| Наименование: | STP9N60M2 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой N-канальный транзистор STP9N60M2 от компании ST Microelectronics. Этот надежный компонент обладает превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах. Транзистор отличается высоким напряжением сток-исток, низким сопротивлением открытого канала и высокой максимальной мощностью, что делает его идеальным выбором для использования в схемах силовой электроники, импульсных источников питания и других приложениях.
Основные технические характеристики транзистора STP9N60M2 включают в себя:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 5.5A
- Сопротивление открытого канала: 780 мОм
- Мощность макс.: 60Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 10нКл
- Входная емкость: 320пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 2.74 г.
Транзистор STP9N60M2 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, регуляторы напряжения и другие устройства, где требуется использование мощных ключевых элементов. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для инженеров, проектирующих высокопроизводительные и энергоэффективные схемы.