BSC022N04LSATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.2 мОм |
| Мощность макс.: | 69Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 37нКл |
| Входная емкость: | 2600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSC022N04LSATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | PG-TDSON-8 |
Описание
Техническое описание: BSC022N04LSATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 2600пФ
- Заряд затвора: 37нКл
- Корпус: PG-TDSON-8
- Мощность макс.: 69Вт
- Наименование: BSC022N04LSATMA1
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Нормоупаковка: 5000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8