FDB8832, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 34A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.9 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 265нКл |
| Входная емкость: | 11400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | FDB8832 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Примечание: | Обновлен дата код. Проверено |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
FDB8832, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.