• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

FDS6692A, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:9A
Сопротивление открытого канала:11.5 мОм
Мощность макс.:1.47Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.5В
Заряд затвора:29нКл
Входная емкость:1610пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOIC8
Наименование:FDS6692A
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт.

Описание

FDS6692A, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.