FDD5353, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 11.5A(Ta),50A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 12.3 мОм @ 10.7А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 65нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 3215пФ @ 30В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.793 г. |
| Наименование: | FDD5353 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD5353, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.5A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм @ 10.7А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.