Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IPP60R099C6XKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот надежный и высокопроизводительный компонент отличается широким диапазоном напряжений и токов, что делает его универсальным решением для широкого спектра применений в электронной промышленности.

Транзистор IPP60R099C6XKSA1 обладает ключевыми характеристиками, которые делают его незаменимым в различных схемах и устройствах:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 37.9A
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.8 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Данный транзистор находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи, двигатели и многие другие устройства, где требуется надежный и высокопроизводительный ключевой элемент. Благодаря своим характеристикам, IPP60R099C6XKSA1 является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.