IPW60R160C6FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.8А 176Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 3.8A |
| Мощность макс.: | 176Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.4 г. |
| Наименование: | IPW60R160C6FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IPW60R160C6FKSA1. Этот надежный и эффективный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется управление высоким напряжением и током.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 23.8А
- Мощность макс.: 176Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Вес брутто: 8.4 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 30 шт
Данный транзистор MOSFET от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, преобразователи, системы управления двигателями и многое другое. Его высокие характеристики по напряжению, току и мощности делают его незаменимым компонентом в современных высокопроизводительных электронных устройствах.