PMV40UN2R, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3,7A 0,49Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 44 мОм |
| Мощность макс.: | 490мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 635пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-236AB |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | PMV40UN2R |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный PMV40UN2R от надёжного производителя NEXPERIA. Этот транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется надёжное и эффективное управление током и напряжением.
Основные характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 30В, максимальный ток стока 3.7A, малое сопротивление открытого канала 44 мОм и максимальную мощность 490мВт. Транзистор имеет логический уровень управления затвором, что позволяет использовать его в цифровых схемах с низковольтным питанием.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 3.7A
- Сопротивление открытого канала: 44 мОм
- Мощность макс.: 490мВт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 900мВ
- Заряд затвора: 12нКл
- Входная емкость: 635пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-236AB
- Вес брутто: 0.03 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор PMV40UN2R идеально подходит для использования в широком спектре электронных приложений, таких как источники питания, усилители, коммутаторы, регуляторы напряжения и другие устройства, где требуется надёжное и эффективное управление электрическими параметрами. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих в области электроники и схемотехники.