FQD5P20TM, Транзистор полевой P-канальный 200В 3.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 3.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.4 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 430пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FQD5P20TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FQD5P20TM, Транзистор полевой P-канальный 200В 3.7A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.