• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

FQD13N06LTM, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:11A
Сопротивление открытого канала:115 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.5В
Заряд затвора:6.4нКл
Входная емкость:350пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:TO-252-3
Наименование:FQD13N06LTM
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт

Описание

FQD13N06LTM, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.