FDN361BN, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 110 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 1.8нКл |
| Входная емкость: | 193пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.02 г. |
| Наименование: | FDN361BN |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDN361BN, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.4 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.