FDMS4435BZ, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 47нКл |
| Входная емкость: | 2050пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | FDMS4435BZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDMS4435BZ, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 9A
- Входная емкость: 2050пФ
- Заряд затвора: 47нКл
- Корпус: Power56
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: FDMS4435BZ
- Напряжение исток-сток макс.: 30В