FQB22P10TM, Транзистор полевой P-канальный 100В 22A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 22A |
| Сопротивление открытого канала: | 125 мОм |
| Мощность макс.: | 3.75Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 50нКл |
| Входная емкость: | 1500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FQB22P10TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент FQB22P10TM, Транзистор полевой P-канальный 100В 22A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 125 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 22A
- Входная емкость: 1500пФ