Надежный и высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор STB6N80K5 от компании ST Microelectronics отличается впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике. Этот транзистор разработан для использования в высоковольтных и высокотоковых схемах, где требуется высокая надежность и эффективность.

Основные характеристики транзистора STB6N80K5:

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 4.5А
• Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 7.5нКл
• Входная емкость: 255пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 1.2 г

Транзистор STB6N80K5 идеально подходит для использования в широком спектре применений, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, а также в различных промышленных и бытовых электронных устройствах, требующих высоковольтных и высокотоковых компонентов. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор обеспечивает эффективную и безопасную работу электронных схем.