FDMS86350ET80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 25A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 мОм |
| Мощность макс.: | 2.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 155нКл |
| Входная емкость: | 10680пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Вес брутто: | 0.22 г. |
| Наименование: | FDMS86350ET80 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент FDMS86350ET80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.