SI4100DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 6.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 63 мОм |
| Мощность макс.: | 6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4100DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент SI4100DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.