SI4178DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 12A |
| Сопротивление открытого канала: | 21 мОм |
| Мощность макс.: | 5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 405пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | SI4178DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
SI4178DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.