Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IPD122N10N3GATMA1 от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор серии OPTIMOS отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений в электронной промышленности.

Ключевые характеристики этого транзистора:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Сопротивление открытого канала: 12.2мОм
• Тип транзистора: N-канальный
• Особенности: силовой
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: TO-252-3
• Вес брутто: 0.55 г.
• Описание Eng: N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Благодаря своим характеристикам, транзистор IPD122N10N3GATMA1 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, системы управления двигателями, инверторы и другие высокомощные устройства. Его высокая эффективность, низкое сопротивление открытого канала и надежность делают его отличным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать производительность и надежность своих проектов.