IPT65R105G7XTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 24A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPT65R105G7XTMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF |
| Нормоупаковка: | 2000 шт. |
Описание
Компонент IPT65R105G7XTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 2000 шт.
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 650V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF
- Производитель: Infineon Technologies
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 24A
- Наименование: IPT65R105G7XTMA1
- Напряжение исток-сток макс.: 650В