FDS6690A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 12.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 16нКл |
| Входная емкость: | 1205пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.24 г. |
| Наименование: | FDS6690A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Компонент FDS6690A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 11A
- Вес брутто: 0.24 г.