FQPF19N20C, Транзистор полевой N-канальный 200В 19A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 170 мОм |
| Мощность макс.: | 43Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 53нКл |
| Входная емкость: | 1080пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF19N20C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
FQPF19N20C, Транзистор полевой N-канальный 200В 19A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.