FQU10N20CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 7.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 360 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Наименование: | FQU10N20CTU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 70 шт. |
Описание
FQU10N20CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.