FDMS86200DC, Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 9.3A(Ta),28A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 17 мОм @ 9.3А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 42нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 2955пФ @ 75В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | FDMS86200DC |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDMS86200DC, Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56 - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.