FDP18N20F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 18A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 145 мОм @ 9А, 10В |
| Мощность макс.: | 100Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 26нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1180пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.78 г. |
| Наименование: | FDP18N20F |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FDP18N20F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220 — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
- Особенности: Standard
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)