FQP20N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 20A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм @ 10А, 10В |
| Мощность макс.: | 53Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 15нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 590пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQP20N06 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
FQP20N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220 — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Особенности: Standard
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 10А, 10В
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 20A(Tc)
- Вес брутто: 3.5 г.