• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPB027N10N3GE8187ATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 120A 2.7Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Наименование:IPB027N10N3GE8187ATMA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:N Channel 100V 120A 2.7Ohm
Нормоупаковка:1000 шт.

Описание

Компонент IPB027N10N3GE8187ATMA1, Полевой транзистор N-канальный 100В 120A 2.7Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.

Ключевые характеристики:

  • Наименование: IPB027N10N3GE8187ATMA1 Производитель: Infineon Technologies Описание Eng: N Channel 100V 120A 2.7Ohm Нормоупаковка: 1000 шт.

Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.

Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.